据国家知识产权局公告（2024年5月6日消息），常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种快恢复二极管芯片及其制作方法“，授权公告号CN113054037B，申请日期为2019年12月。
专利摘要显示，本发明涉及芯片制造领域，具体公开了一种快恢复二极管芯片，包括芯片本体，所述芯片本体包括自下而上设置的N区、基区和P区,其中，所述N区的厚度为70um，所述基区的厚度为80um，所述P区的厚度为85um，本发明还提供一种快恢复二极管芯片制作方法，用于制作所述快恢复二极管芯片，本发明提供的快恢复二极管芯片可以降低正向工作电压，从而降低正向损耗，使得工作温度不会上升太快，本发明通过在快恢复二极管芯片的劈裂区设置保护层，可以提高后续封装的良率。
图片及编辑：UWB超宽带芯片实验室
本文源自：金融界